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PMGD175XN,115
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | PMGD175XN,115 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 390mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 225mOhm @ 1A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-TSSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 1.1nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 75pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 900mA |
Auf Lager 90 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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