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PMGD130UN,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: PMGD130UN,115
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 390mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 83pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.2A

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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