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CTLDM303N-M832DS TR
| Hersteller: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | CTLDM303N-M832DS TR |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Central Semiconductor Corp |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 1.65W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 40mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | TLM832DS |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 590pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.6A |
Auf Lager 58 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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