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IRFHE4250DTRPBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | IRFHE4250DTRPBF |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | FASTIRFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 156W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 32-PowerWFQFN |
| Basis-Teilenummer | IRFHE4250 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 32-PQFN (6x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 20nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1735pF @ 13V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 86A, 303A |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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