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SIRA62DP-T1-RE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SIRA62DP-T1-RE3
Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) +16V, -12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 93nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4460pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 5740 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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