SI8413DB-T1-E1
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI8413DB-T1-E1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 4-XFBGA, CSPBGA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 48mOhm @ 1A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.47W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 4-Microfoot |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 21nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 3000 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1