Image is for reference only , details as Specifications

SUD23N06-31-T4-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SUD23N06-31-T4-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 31mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Gate Charge (Qg) (Max.) 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 670pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.36 $1.33 $1.31
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI8413DB-T1-E1
Vishay / Siliconix
$0
SISS64DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FCD620N60ZF
ON Semiconductor
$1.34
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
$0
SIRC18DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0