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SI5980DU-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI5980DU-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 7.8W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Basis-Teilenummer | SI5980 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 567mOhm @ 400mA, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.3nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 78pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.5A |
Auf Lager 95 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1
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