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SI5920DC-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI5920DC-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 3.12W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Basis-Teilenummer | SI5920 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 32mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 12nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 680pF @ 4V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1
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