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SI5904DC-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI5904DC-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Basis-Teilenummer SI5904
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max.) 6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.1A

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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