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SI5517DU-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI5517DU-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 8.3W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Basis-Teilenummer | SI5517 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 39mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 16nC @ 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 520pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A |
Auf Lager 2034 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.16 | $1.14 | $1.11 |
Minimale: 1
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