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DMTH4007SPDQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMTH4007SPDQ-13
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.6W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 41.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2026pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.2A

Auf Lager 1247 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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