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DMHC10H170SFJ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: DMHC10H170SFJ-13
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 12-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket V-DFN5045-12
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1167pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.9A, 2.3A

Auf Lager 2243 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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