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VS-GT400TH60N

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GT400TH60N
Beschreibung: IGBT 600V 530A 1600W DIAP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench
Teilstatus Active
Leistung - Max 1600W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Double INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 530A
Eingangskapazität (Cies) 30.8nF @ 30V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 78 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$448.52 $439.55 $430.76
Minimale: 1

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