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VS-GB200TH120U

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GB200TH120U
Beschreibung: IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 1316W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Double INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.6V @ 15V, 200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 330A
Eingangskapazität (Cies) 16.9nF @ 30V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$434.51 $425.82 $417.30
Minimale: 1

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