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VS-GB200TH120N
| Hersteller: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | VS-GB200TH120N |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Last Time Buy |
| Leistung - Max | 1136W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Double INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 360A |
| Eingangskapazität (Cies) | 14.9nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 98 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $434.51 | $425.82 | $417.30 |
Minimale: 1
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