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TK10J80E,S1E
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TK10J80E,S1E |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | π-MOSVIII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 250W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P(N) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 46nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2000pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 60 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.49 | $2.44 | $2.39 |
Minimale: 1
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