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IPB024N10N5ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPB024N10N5ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 183µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (Max.) 250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-7
Gate Charge (Qg) (Max.) 138nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10200pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.49 $2.44 $2.39
Minimale: 1

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