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IPW65R190C7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW65R190C7XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 290µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 72W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1150pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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