Image is for reference only , details as Specifications

SSM6J511NU,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM6J511NU,LF
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVII
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.1mOhm @ 4A, 8V
Verlustleistung (Max.) 1.25W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-UDFNB (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 47nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3350pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V

Auf Lager 15141 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI2302A-TP
Micro Commercial Co
$0
SI1330EDL-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0.14
SI2307CDS-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
DMG3415UFY4Q-7
Diodes Incorporated
$0.39
BSS169H6327XTSA1
Infineon Technologies
$0