SSM6J511NU,LF
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SSM6J511NU,LF |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVII |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9.1mOhm @ 4A, 8V |
Verlustleistung (Max.) | 1.25W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 47nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3350pF @ 6V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 14A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Auf Lager 15141 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1