BSS169H6327XTSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSS169H6327XTSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 360mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-23-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.8nC @ 7V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 68pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 170mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Auf Lager 19279 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1