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DMG3415UFY4Q-7
| Hersteller: | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | DMG3415UFY4Q-7 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 39mOhm @ 4A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 650mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | X2-DFN2015-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 10nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 282pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 5917 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.38 | $0.37 |
Minimale: 1
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