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2SK2845(TE16L1,Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SK2845(TE16L1,Q)
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1A DP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 40W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DP
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 350pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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