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2SK1119(F)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | 2SK1119(F) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.8Ohm @ 2A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 100W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 60nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 700pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 93 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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