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2SK2507(F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SK2507(F)
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 46mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220NIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 900pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 98 pcs

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