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TSM2N7000KCT B0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM2N7000KCT B0G
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 400mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-92
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7.32pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 93 pcs

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