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ISS55EP06LMXTSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | ISS55EP06LMXTSA1 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V SOT23-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.5Ohm @ 180mA, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 400mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT23-3-5 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 590pC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 18pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 180mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.07 | $0.07 | $0.07 |
Minimale: 1
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