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DMP10H4D2S-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMP10H4D2S-13
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 380mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 87pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 270mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 59 pcs

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