Image is for reference only , details as Specifications

STGB30H60DF

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGB30H60DF
Beschreibung: IGBT 600V 60A 260W D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 105nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 260W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGB30
Schalten der Energie 350µJ (on), 400µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 50ns/160ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 110ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRG8P60N120KD-EPBF
Infineon Technologies
$0
IRG8P50N120KD-EPBF
Infineon Technologies
$0
IRG8P40N120KD-EPBF
Infineon Technologies
$0
IRG8P25N120KD-EPBF
Infineon Technologies
$0
IRG8P50N120KDPBF
Infineon Technologies
$0