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IRG8P25N120KD-EPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IRG8P25N120KD-EPBF
Beschreibung: IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 135nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 180W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 800µJ (on), 900µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 20ns/170ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AD
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 70ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 45A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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