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IRG8P50N120KD-EPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IRG8P50N120KD-EPBF
Beschreibung: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 315nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 350W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Schalten der Energie 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 35ns/190ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AD
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Reverse Recovery Time (trr) 170ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 105A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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