IRG8P50N120KD-EPBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | IRG8P50N120KD-EPBF |
Beschreibung: | IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 315nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 350W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Testbedingung | 600V, 35A, 5Ohm, 15V |
Schalten der Energie | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 35ns/190ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247AD |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
Reverse Recovery Time (trr) | 170ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 80A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 67 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1