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RQK0609CQDQS#H1
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | RQK0609CQDQS#H1 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH UPAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 1.5W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | UPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 5nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 470pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 81 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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