Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

NVD6416ANLT4G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVD6416ANLT4G
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung -
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Last Time Buy
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 74mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (Max.) 71W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK (SINGLE GAUGE)
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1nF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPD06P003NSAUMA1
Infineon Technologies
$0
IRFC048NB
Infineon Technologies
$0
IRFC048N
Infineon Technologies
$0
IRLR8721TRPBF-1
Infineon Technologies
$0
IRF3717TRPBF-1
Infineon Technologies
$0