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RQJ0305EQDQS#H1

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQJ0305EQDQS#H1
Beschreibung: MOSFET P-CH UPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) +8V, -12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket UPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 330pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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