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HAT2266HWS-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2266HWS-E
Beschreibung: MOSFET N-PAK 8SOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 23W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 5-LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3600pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 69 pcs

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