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SCT3120ALHRC11

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SCT3120ALHRC11
Beschreibung: AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) +22V, -4V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
Verlustleistung (Max.) 103W
Lieferanten-Gerätepaket TO-247N
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 460pF @ 500V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V

Auf Lager 200 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.95 $11.71 $11.48
Minimale: 1

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