SCT3120ALHRC11
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SCT3120ALHRC11 |
Beschreibung: | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | +22V, -4V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
Verlustleistung (Max.) | 103W |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247N |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 38nC @ 18V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 460pF @ 500V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Auf Lager 200 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$11.95 | $11.71 | $11.48 |
Minimale: 1