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TP65H070LSG
| Hersteller: | Transphorm |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TP65H070LSG |
| Beschreibung: | 650 V 25 A GAN FET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Transphorm |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TP65H070L |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-PowerDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 96W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 3-PQFN (8x8) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 9.3nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 600pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 290 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $11.80 | $11.56 | $11.33 |
Minimale: 1
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