Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TP65H070LDG

Hersteller: Transphorm
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TP65H070LDG
Beschreibung: 650 V 25 A GAN FET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Transphorm
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TP65H070L
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 3-PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 600pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 235 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.80 $11.56 $11.33
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STW60N65M5
STMicroelectronics
$11.93
TP65H070LSG
Transphorm
$11.8
TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
$11.71
E3M0065090D
Cree Wolfspeed
$11.5
SIHW70N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$11.42