Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

R6009ENX

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6009ENX
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 40W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 430pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 282 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.94 $2.88 $2.82
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFIBF20GPBF
Vishay / Siliconix
$2.93
RCX511N25
ROHM Semiconductor
$2.92
TK14E65W5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.91
R6015KNZC8
ROHM Semiconductor
$2.92
IPA032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
$2.91