Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK14E65W5,S1X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK14E65W5,S1X
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 690µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 300mOhm @ 6.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 130W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1300pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 222 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.91 $2.85 $2.79
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

R6015KNZC8
ROHM Semiconductor
$2.92
IPA032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
$2.91
STW9N80K5
STMicroelectronics
$2.85
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.84
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.84