Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPA032N06N3GXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA032N06N3GXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 118µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.2mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 41W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3-31 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 165nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 13000pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 478 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.91 $2.85 $2.79
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STW9N80K5
STMicroelectronics
$2.85
TSM9N90ECZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.84
TSM7N90CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.84
FQPF85N06
ON Semiconductor
$2.82
IRFIBE20GPBF
Vishay / Siliconix
$2.81