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NSVF6003SB6T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: NSVF6003SB6T1G
Beschreibung: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 9dB
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 800mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 7GHz
Lieferanten-Gerätepaket 6-CPH
Rauschfigur (dB-Typ f) 3dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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