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BFR843EL3E6327XTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFR843EL3E6327XTSA1
Beschreibung: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 25.5dB
Serie *
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 125mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TSLP-3-10
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 55mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 2.6V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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