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BFS17NQTA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFS17NQTA
Beschreibung: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Active
Leistung - Max 310mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 3.2GHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23
Rauschfigur (dB-Typ f) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 56 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 11V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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