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FGA15N120ANTDTU-F109

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGA15N120ANTDTU-F109
Beschreibung: IGBT 1200V 30A 186W TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT and Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 120nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 186W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 3mJ (on), 600µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 15ns/160ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 330ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 45A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 505 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.54 $2.49 $2.44
Minimale: 1

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