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FGP10N60UNDF

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGP10N60UNDF
Beschreibung: IGBT 600V 20A 139W TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 37nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 139W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 150µJ (on), 50µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 8ns/52.2ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr) 37.7ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 20A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 30A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 756 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.71 $1.68 $1.64
Minimale: 1

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