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SGS10N60RUFDTU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: SGS10N60RUFDTU
Beschreibung: IGBT 600V 16A 55W TO220F
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 30nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 55W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V
Basis-Teilenummer SG*10N60
Schalten der Energie 141µJ (on), 215µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 15ns/36ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220F
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 16A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 30A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 930 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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