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FDMS3660S-F121

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDMS3660S-F121
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket Power56
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1765pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A, 30A

Auf Lager 77 pcs

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