PMDPB95XNE,115
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | PMDPB95XNE,115 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 475mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 120mOhm @ 2A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | DFN2020-6 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.5nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 143pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.4A |
Auf Lager 88 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1