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PMDPB95XNE,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: PMDPB95XNE,115
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 475mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 120mOhm @ 2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket DFN2020-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 143pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.4A

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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