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FDMC8200S_F106

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: FDMC8200S_F106
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 700mW, 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-Power33 (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 660pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A, 8.5A

Auf Lager 91 pcs

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